Главная » Новости » 2009 » 07 » 11 11 июля 2009

NXP говорит о прорыве в технологии MOSFET

По словам компании NXP Semiconductors, ею начат выпуск первых в мире n-канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), имеющих при напряжении 25 В сопротивление менее одной тысячной Ом. Типовое значение RDS(on) при напряжении 25 В равно 0,9 мОм, при напряжении 30 В — 1,0 мОм.

Прибор под обозначением PSMN1R2-25YL имеет не только самое маленькое значение RDS(on), но и низкие значения Qg и Rg, что делает его пригодным для применения в схемах управления питанием, работающих на высоких частотах переключения (до 1 МГц). Транзисторы выпускаются в корпусах типа Power-SO8 (LFPAK).

Поставки PSMN1R2–25YL уже начались. Стоимость одного транзистора в партии из 1000 штук равна $0,8. Новинка найдет применение в мощных управляющих цепях и преобразователях напряжения.

Источник: NXP Semiconductors

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.