NXP говорит о прорыве в технологии MOSFET

Начат выпуск первых транзисторов в корпусе Power S08 с сопротивлением в отрытом состоянии менее 1 мОм

По словам компании NXP Semiconductors, ею начат выпуск первых в мире n-канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), имеющих при напряжении 25 В сопротивление менее одной тысячной Ом. Типовое значение RDS(on) при напряжении 25 В равно 0,9 мОм, при напряжении 30 В — 1,0 мОм.

Прибор под обозначением PSMN1R2-25YL имеет не только самое маленькое значение RDS(on), но и низкие значения Qg и Rg, что делает его пригодным для применения в схемах управления питанием, работающих на высоких частотах переключения (до 1 МГц). Транзисторы выпускаются в корпусах типа Power-SO8 (LFPAK).

Поставки PSMN1R2–25YL уже начались. Стоимость одного транзистора в партии из 1000 штук равна $0,8. Новинка найдет применение в мощных управляющих цепях и преобразователях напряжения.

Источник: NXP Semiconductors

11 июля 2009 в 01:11

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31