Samsung Electronics,
как говорит источник, вскоре намерена начать массовое производство памяти типа
PRAM (Phase
change RAM, память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из
одного фазового состояния в другое). Произойдет это уже в июне. «Спешка» вызвана желанием производителя
быть лидером в области производства передовой памяти, получившей свойства NAND и NOR флэш-памяти.
Южнокорейская компания сообщила о своём намерении производить 512-МБ чипы (прототип которых был готов уже достаточно давно) памяти PRAM на своей 200-мм фабрике в следующем месяце. Хотя пару лет тому назад коммерциализация этой технологии намечалась на 2008 год. Первые же «пилотные» образцы ёмкостью 256 МБ были разработаны ещё в 2005 году.
Phase-change Random Access Memory (PRAM), напомним, интересна своей потенциально высокой скоростью работы. Она примерно в 30 раз быстрее современной флэш-памяти, для её перезаписи не требуется стирание предварительных данных. Также PRAM обещает быть более долговечной, чем флэш-устройства — срок её службы примерно в 10 раз больше.