Специалисты исследовательского центра IMEC, как известно, отдают предпочтение литографии в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV), когда речь заходит о наиболее вероятной технологии, которая будет применяться при производстве полупроводниковых микросхем с соблюдением норм 22 нм.
Указанная технология уже позволила исследователям создать, по их утверждению, первую в мире работоспособную память типа SRAM, используя 22-нанометровый техпроцесс CMOS. Ячейки памяти состоят из транзисторов FinFET. Два слоя в структуре чипа сформированы с применением экспериментальной версии оборудования для EUV-литографии производства компании ASML (первая иллюстрация).
На второй иллюстрации показан массив ячеек SRAM после завершения одного из этапов техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 0,099 кв.мкм, что вдвое меньше, чем площадь такой же ячейки, изготовленной с соблюдением норм 32 нм.
В своей работе IMEC сотрудничает с Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, Hynix, Powerchip, Infineon, NXP, Qualcomm, Sony и STMicroelectronics
Источник: IMEC