Главная » Новости » 2009 » 02 » 16 16 февраля 2009

Создан объемный датчик изображения

На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.

Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.

Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.