Главная » Новости » 2009 » 02 » 12 12 февраля 2009

Samsung начинает массовое производство памяти GDDR5 по нормам 50 нм

Южнокорейский электронный гигант сообщил о начале серийного выпуска графической памяти GDDR5 с использованием техпроцесса «50-нанометрового класса».

Новая память поддерживает максимальную скорость обмена 7,0 Гбит/с. Это соответствует пропускной способности 28 ГБ/с, что вдвое превосходит показатель памяти GDDR4, равный 12,8 ГБ/с.

В отличие от памяти GDDR4, в которой операции обращения жестко связаны с тактовой частотой, GDDR5 имеет преимущество в быстродействии, обуславливаемое отсутствие необходимости синхронизации между импульсами тактовой частоты и сигналами, соответствующими функциям чтения и записи.

Применение норм «50-нанометрового класса», как ожидает компания, позволит вдвое повысить эффективность производства по сравнению с производством, в котором применяется 60-нанометровый техпроцесс. Кроме того, память Samsung GDDR5 работает при напряжении питания 1,35 В, что соответствует снижению энергопотребления на 20% по сравнению с памятью GDDR4, которой необходимо напряжение 1,8 В.

Поставки компонентов плотностью 32 Мбит x32, которые можно конфигурировать, как 64 Мбит x16, уже начались. Компания рассчитывает, что поставки памяти GDDR5 составят не менее 20% от поставок всей графической памяти в текущем году.

Источник: Samsung

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
2009

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.