Главная » Новости » 2007 » 12 » 16 16 декабря 2007

SRC и университет Глазго намерены создать 8-нм транзисторы

Сотрудники университета Глазго и компании Semiconductor Research Corp. (SRC) станут участниками совместного проекта по созданию транзисторов MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, канальный полевой униполярный МОП-транзистор) размером 8 нм (включая длину затвора).

Приборы нового поколения потребуют применения новых материалов, а в университете как раз есть хороший задел исследований в области полупроводниковых материалов, которые, как утверждается, позволят создать более быстродействующие микросхемы и продлить время жизни существующих технологий на срок от четырех до шести лет.

Основной задачей участников проекта является поиск материалов для изготовления каналов n- и p-типа. Дело в том, что ключом к освоению более тонких норм и высоких частот является применение составных полупроводниковых материалов, таких, как, например, арсенид индия-галлия. Они должны прийти на смену кремнию, применяемому сейчас в каналах транзисторов MOSFET.

Совместный проект рассчитан на три года. Официальной датой начала работ названо 1 января 2008 года. Общая сумма инвестиций должна составить 2,5 млн. долл.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.