Сотрудники университета Глазго и компании Semiconductor Research Corp. (SRC) станут участниками совместного проекта по созданию транзисторов MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, канальный полевой униполярный МОП-транзистор) размером 8 нм (включая длину затвора).
Приборы нового поколения потребуют применения новых материалов, а в университете как раз есть хороший задел исследований в области полупроводниковых материалов, которые, как утверждается, позволят создать более быстродействующие микросхемы и продлить время жизни существующих технологий на срок от четырех до шести лет.
Основной задачей участников проекта является поиск материалов для изготовления каналов n- и p-типа. Дело в том, что ключом к освоению более тонких норм и высоких частот является применение составных полупроводниковых материалов, таких, как, например, арсенид индия-галлия. Они должны прийти на смену кремнию, применяемому сейчас в каналах транзисторов MOSFET.
Совместный проект рассчитан на три года. Официальной датой начала работ названо 1 января 2008 года. Общая сумма инвестиций должна составить 2,5 млн. долл.
Источник: EE Times