Изготовление полупроводниковых приборов при комнатной температуре могло бы обеспечить создание панелей очень большого размера и снизить стоимость такой продукции, как одноразовые метки RFID. Но большинство транзисторов, создаваемых в таких условиях, имеет ничтожную подвижность электронов.
Как утверждается, исследователями из Технологического института Джорджии удалось достичь успеха в разработке метода изготовления при комнатной температуре транзисторов, которые в 100 раз быстрее, чем ранее созданные образцы. Проще говоря, новые транзисторы догнали своих собратьев, изготавливаемых из аморфного кремния.
Секретом разработки стало использование в каналах транзисторов тонких пленок из материала carbon-60 (C60), также известного под названием фуллерен.
Ученые не претендуют на роль первых исследователей, применивших C60 в транзисторах, изготавливаемых при комнатной температуре, но они первыми смогли продемонстрировать высокую подвижность электронов в таких приборах и предложить технологию изготовления транзисторов с высокой повторяемостью результатов.
Демонстрационный прибор был для удобства изготовлен на кремниевой подложке, но все его элементы выполнены из органических материалов и C60 при комнатной температуре. Металлический электрод был добавлен с применением того же самого процесса, который используется в производстве органических светодиодов и пластиковых солнечных батарей.
В будущем, исследователи намерены перейти к пластиковым подложкам и продемонстрировать возможность изготовления транзисторов с каналами n- и p-типа, что позволит создавать электронные цепи, подобные тем, что сейчас изготавливаются по технологии CMOS.
В бочке меда не обошлось без ложки дегтя — новые транзисторы чрезвычайно чувствительны к кислороду. Впрочем, решение этой проблемы может лежать в применении герметичных корпусов.
Источник: Технологический институт Джорджии