Специалистам компании Renesas Technology удалось разработать «исключительно высокопроизводительный транзистор», предназначенный для построения микропроцессоров и однокристальных систем, характеризующийся низкой стоимостью производства. Новинка ориентирована на производство чипов по нормам 45 нм и менее. Новая разработка является усовершенствованием транзисторов CMIS (Complementary Metal Insulator Semiconductor). Приборы имеют гибридную структуру, впервые представленную компанией в декабре 2006 года.
Как и ее предшественница, новая технология позволяет формировать транзисторы p-типа с металлическим затвором из нитрида титана (TiN) и транзисторы n-типа с обычным затвором из поликристаллического кремния. В то же время, в новых транзисторах p-типа используется двухслойная структура затвора вместо однослойной, что дает возможность точнее управлять пороговым напряжением. Кроме того, гибридная структура может формироваться в техпроцессе, построенном на использовании «напряженного» кремния, что позволяет повысить быстродействие транзисторов. В результате, по оценке компании, быстродействие приборов увеличено на 20% по сравнению с транзисторами, изготавливаемыми по гибридной технологии Renesas текущего поколения. Немаловажно, что доработка не повлекла за собой увеличения производственных затрат, поскольку она не требует внесения существенных изменений в имеющийся техпроцесс.
По новой технологии уже выпущены первые чипы. Данные тестирования подтвердили ожидания разработчиков в отношении показателей быстродействия приборов.
Источник: Renesas Technology