Главная » Новости » 2007 » 04 » 28 28 апреля 2007

Hynix готовится к выпуску флэш-памяти типа NAND но нормам 48 нм

Освоение все более тонких норм техпроцесса идет в ускоренном темпе. В первую очередь, в силу конструктивных особенностей, они внедряются в производстве памяти. Напомним, недавно появилась информация о начале производства опытных образцов 50-нм памяти MLC NAND (multi-level cell) на совместном предприятии Intel и Micron Technology - IM Flash Technologies.

Корейский производитель памяти Hynix Semiconductor объявил о намерении построить новую фабрику, рассчитанную на работу с 300-мм пластинами. Предприятие, получившее обозначение M11, будет использоваться для выпуска флэш-памяти типа NAND по нормам 48 нм.

Завершение строительства ожидается во втором квартале 2008 года, а в третьем квартале фабрика уже должна будет выдать первую продукцию.

Не исключено, что намерение Hynix поскорее перейти на выпуск флэш-памяти типа NAND по более тонким нормам подстегнула информация о затруднениях, испытываемых Samsung Electronics в связи с переходом на 50-нм техпроцесс. С учетом подорожания этой продукции, вызванного увеличением объема заказов со стороны Apple, возникает удобный момент для того, чтобы потеснить конкурента.

Источник: Tech-On!

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.