Главная » Новости » 2007 » 03 » 23 23 марта 2007

MoSys портирует 1T-SRAM в дисплеи мобильных устройств

Компания MoSys, наделавшая несколько лет назад немало шума со своими технологиями 1T-SRAM и 1T-SRAM-Q, сообщает об адаптации своей технологии для использования в дисплеях мобильных устройств и доступности макросов 1T-SRAM Dual-Port Display. Таким образом, компания предпринимает попытку выхода со своей технологией на массовый рынок бытовой электроники и, как сообщается в пресс-релизе, первые клиенты уже проводят тестирование.




А технология может оказаться и в самом деле востребованной, так как растущее разрешение и необходимость обеспечить большое количество отображаемых цветовых оттенков заставляет производителей дисплеев мобильных устройств интегрировать всё большее количество буферной памяти. В последнее время всё чаще – прямо на дисплей, используя технологию SoG (Silicon-on-Glass) и её подобные.

Макросы MoSys 1T-SRAM Dual-Port Display позволяют размещать буферную память как на дисплей по технологии SoG, так и на соединительных проводах (chip-on-film или tape carrier package). Более того, размещение буферной памяти (и электроники контроллера) на дисплей, обусловленное стремлением снизить уровень электромагнитных наводок и себестоимость (так как отпадает необходимость приобретения и/или монтажа дополнительных микросхем), требует учета в дизайне пространственных ограничений, что проще сделать, если использовать ячейки памяти с меньшим количеством элементов. Напомним, что 1T-SRAM, как, собственно, и следует из названия технологии, использует однотранзисторные ячейки псевдостатической памяти, в то время как в обычных ячейках статической памяти таких транзисторов бывает до шести штук.

Источник: MoSys

13:33 23.03.2007
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.