Главная » Новости » 2007 » 03 » 15 15 марта 2007

В Корее создана 8-нм флэш-память

В то время как сегодняшний технологический уровень производства чипов памяти находится на уровне десятков нанометров, корейским учёным удалось создать 8-нм (!) энергонезависимую память. Конечно же, здесь не обошлось без нанотехнологий.

Как сообщил руководитель исследовательской группы, профессор корейского научно-технологического института (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Чо Янг-ку (Choi Yang-kyu), создание новой флэш-памяти стало возможно благодаря использованию нанопроводов и технологии "кремний-оксид-нитрид-оксид-кремний".

Новая память имеет объёмную структуру, учёные использовали кремниевые нанопровода, на которые последовательно нанесены слои оксида, нитрида и ещё раз оксида кремния (ONO). Разработчики сообщают о возможности создания в будущем терабитных чипов, которые смогут хранить, к примеру, 1250 DVD-фильмов или 500 тыс. MP3-файлов. В сравнении с 40-нм устройствами, созданными Samsung, корейская разработка имеет впятеро меньшие размеры и в 25 раз большую плотность.

По прогнозам Чо, на доведение технологии до коммерческого этапа понадобится 10 лет. Детальная информация о новой памяти появится в середине июня, когда в Киото (Япония) начнётся международный симпозиум VLSI (Very-Large-Scale-Integration Technology) Technology.

Источник: The Korea Times

14:51 15.03.2007
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.