Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск 512-Мбит памяти DDR SDRAM, работающей на частоте 185 МГц и оснащенной средством коррекции ошибок (ECC). Новинка спроектирована в расчете на производство по нормам 80-нм и предназначена для устройств мобильной электроники.
Поскольку память работает на частоте 185 МГц, ее пропускная способность, по данным компании, составляет 1,5 Гбайт/с, при условии обмена по 32-разрядной шине. Наличие ECC позволило увеличить период регенерации, что, в свою очередь, помогло снизить энергопотребление почти вдвое.
Представленная память будет доступна в виде «сборок» POP (package-on-package) и MCP (multi-chip package), включающих, наряду с DDR SDRAM, флэш-память типа NAND. По словам Hynix, серийный выпуск новой памяти должен быть развернут во второй половине года, а опытные образцы будут доступны в начале третьего квартала.
Напомним, похожую память, хотя без ECC, зато работающую на частоте 200 МГц, Hynix представила в конце прошлого года .
Источник: Hynix