Главная » Новости » 2007 » 03 » 10 10 марта 2007

Китайские ученые по-своему подошли к созданию памяти MRAM

По сведениям источника, группа исследователей из института физики китайской академии наук разработала новую магниторезистивную память с произвольным доступом (MRAM).

Указанная память состоит из массивов ячеек, информация в которых представлена направлениями намагниченности крошечных ферромагнитных элементов.

В ранее созданных образцах MRAM запись информации выполняется двумя перекрестными импульсами тока, генерирующими магнитное поле, изменяющее намагниченность выбранных элементов, а процесс чтения опирается на туннельный магниторезистивный эффект (TMR).

Китайские ученые пошли своим путем. Для хранения единиц и нулей они использовали колечки нанометрового размера – своеобразное воплощение на современном уровне магнитной памяти, знакомой специалистам по мейнфреймам шестидесятых годов прошлого века. Внутренний и внешний диаметр колечек составляет около 50 и 100 нм, соответственно. Запись и чтение информации выполняется положительным или отрицательным импульсом тока.

Исследователи утверждают, что указанный подход поможет снизить энергопотребление и размеры ячейки памяти – решить две проблемы, препятствующие развитию MRAM. Ток записи новой памяти составляет 500-650 мкА, чтения – 10-20 мкА. Ожидается, что дальнейшие доработки позволят снизить ток записи до уровня 100-200 мкА.

Вместе с тем, напомним, что не все производители памяти испытывают оптимизм в отношении перспектив MRAM.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2007

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.