Главная » Новости » 2006 » 12 » 11 11 декабря 2006

IBM, Macronix и Qimonda представляют PRAM в 500 раз быстрее флэш-памяти

Как сообщает источник, сегодня, в ходе конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), трио компаний во главе с IBM (IBM, Macronix и Qimonda) представят прототип памяти PRAM (использующей для записи бит данных эффект изменения локальной фаз), работающей в 500 раз быстрее традиционной флэш-памяти.

Компания Qimonda, входящая в это трио, известна своими амбициозными планами по освоению норм 58-нм технологического процесса для оперативной памяти. Об этом компания также должна будет рассказать в ходе IEDM.

Что касается PRAM, то размер ячейки составляет 3х20 нм и потребляет вдвое меньше электроэнергии (надо полагать, по сравнению с флэш-памятью) при записи данных. Очевидно, что такая PRAM будет массово доступна с внедрением 22-нм технологий, то есть, не раньше 2012-2015 года. Удивительно, что при таких наноскопических размерах удается выделить локальную область, в которой полупроводник существует либо в упорядоченной кристаллической, либо в неупорядоченной фазе.

К слову сказать, в PRAM IBM, Macronix и Qimonda использован не традиционный кремний, а антимонид (сурьмид) германия (GeSb), впрочем, легированный традиционными для генерации носителей зарядов добавками.

Источник: EE Times

  • Теги:
12:44 11.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.