В портфолио решений памяти Fujitsu (а, точнее, FMA – Fujitsu Microelectronics America) появился новый продукт, предназначенный для мобильный устройств; КПК, коммуникаторов, смартфонов и мобильных телефонов – 256-Мбит чип псевдостатической памяти (PSRAM) FCRAM (Fast Cycle RAM) MB82DDS08314A.
Микросхема, построенная на основе патентованной технологии Fujitsu FCRAM, использует интерфейс SRAM и поддерживает групповой режим DDR, а также удовлетворяет требованиям спецификаций COSMORAM (common specifications for Mobile RAM) Revision 4. Дополнительно, в FCRAM используется мультиплексирование шины данных и адреса, а пропускная способность достигает 1 Гбайт/с. Это, к слову, несколько меньше, чем у представленной вчера для аналогичных приложений микросхемы DRAM Hynix, однако, преимущество MB82DDS08314A, помимо псевдостатичности, еще и в меньшем количестве выводов, что достигается за счет мультиплексирования данных и адресов.
Конечно же, так как микросхема предназначена для мобильных устройств, в ней предусмотрены режимы энергосбережения – от перевода всего чипа в спящий до отключения питания некоторых его частей.
| Спецификации: | ||
| P/N | MB82DDS08314A | MB82DBS08314A |
| Версия спецификаций COSMORAM | Revision 4 | Revision 3 |
| Плотность | 256 Мбит | |
| Напряжение питания | 1,7..1,95 В | |
| Конфигурация ввода/вывода | 32-разрядная мультиплексированная шина адреса/данных | |
| Частота (в пакетно-монопольном или групповом режиме) | 135 МГц | 108 МГц |
| Интерфейс | DDR | SDR |
| Пропускная способность | 1 Гбайт/с | 400 Мбайт/с |
| Время произвольного доступа | 45 нс | 70 нс |
| Время синхронизации | 6 нс | 7 нс |