Главная » Новости » 2006 » 12 » 05 5 декабря 2006

Fujitsu представляет новый 256-Мбит чип FCRAM для мобильных устройств

В портфолио решений памяти Fujitsu (а, точнее, FMA – Fujitsu Microelectronics America) появился новый продукт, предназначенный для мобильный устройств; КПК, коммуникаторов, смартфонов и мобильных телефонов – 256-Мбит чип псевдостатической памяти (PSRAM) FCRAM (Fast Cycle RAM) MB82DDS08314A.




Микросхема, построенная на основе патентованной технологии Fujitsu FCRAM, использует интерфейс SRAM и поддерживает групповой режим DDR, а также удовлетворяет требованиям спецификаций COSMORAM (common specifications for Mobile RAM) Revision 4. Дополнительно, в FCRAM используется мультиплексирование шины данных и адреса, а пропускная способность достигает 1 Гбайт/с. Это, к слову, несколько меньше, чем у представленной вчера для аналогичных приложений микросхемы DRAM Hynix, однако, преимущество MB82DDS08314A, помимо псевдостатичности, еще и в меньшем количестве выводов, что достигается за счет мультиплексирования данных и адресов.

Конечно же, так как микросхема предназначена для мобильных устройств, в ней предусмотрены режимы энергосбережения – от перевода всего чипа в спящий до отключения питания некоторых его частей.


Спецификации:
P/N MB82DDS08314A MB82DBS08314A
Версия спецификаций COSMORAM Revision 4 Revision 3
Плотность 256 Мбит
Напряжение питания 1,7..1,95 В
Конфигурация ввода/вывода 32-разрядная мультиплексированная шина адреса/данных
Частота (в пакетно-монопольном или групповом режиме) 135 МГц 108 МГц
Интерфейс DDR SDR
Пропускная способность 1 Гбайт/с 400 Мбайт/с
Время произвольного доступа 45 нс 70 нс
Время синхронизации 6 нс 7 нс

Источник: Fujitsu

16:52 05.12.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.