Главная » Новости » 2006 » 09 » 14 14 сентября 2006

Micron анонсирует RLDRAM II - память с низкими задержками

Micron Technologies официально объявила о разработке нового типа памяти, используемой в сетевом оборудовании - Reduced Latency Dynamic RAM (RLDRAM) II.

Плотность чипов по сравнению с первым поколением RLDRAM увеличена вдвое - с 288 до 576 Мбит, скорость - с 400 до 533 МГц. Латентность снизилась с 20 до 15 нс. Micron планирует, что новый тип памяти найдет применение в системах будущего, где максимальная скорость обмена данными по сети будет достигать 10 Гб/с.

В настоящий момент у RLRAM есть серьезный конкурент в лице Fast cycle RAM (FCRAM), однако разработчик считает, что очевидные преимущества в производительности второго поколения памяти, создаваемой Micron, будут способствовать тому, что производители готовых решений станут выбирать именно её.

Первые тестовые образцы RLDRAM II уже направлены партнерам для тестирования, а массовое производство должно стартовать в начале следующего года.

Источник: TG Daily

12:47 14.09.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.