Специалисты канадской компании Semiconductor Insights, занимающейся консультациями в сфере высоких технологий, исследовали образец 50-нм флэш-памяти типа NAND производства IM Flash Technologies (IMFT) и пришли к интересному выводу. Хотя речь идет о 50-нм памяти, в определенном смысле, она все еще «плетется в хвосте» у 70-нм изделий производства Toshiba. Ситуация выглядит именно так, если говорить о плотности хранения.
Дело в том, что в 50-нм памяти совместного предприятия Intel и Micron Technology каждая ячейка используется для хранения только одного бита информации. Таким образом, в 4-гигабитном приборе на каждый квадратный миллиметр поверхности кристалла приходится 41,8 Мбит памяти. В то же время, у памяти Toshiba эта величина равна 56,5 Мбит/кв.мм. Такую плотность имеет 70-нм 8-гигабитный чип NAND, в котором используется технология многоуровневых ячеек (multilevel cell, MLC).
Что касается линейного размера элементов, память IMFT, у которой эта величина составляет 50 нм, безоговорочно опережает конкурентов. Ранее первенство по этому критерию принадлежало 4-гигабитному чипу NAND Samsung, выполненному по нормам 65 нм. В этом случае речь также шла о приборе с одноуровневыми ячейками (single-level cell, SLC), а плотность хранения была равна 31,3 Мбит/кв.мм.
Следует добавить, что чипы IMFT примерно вдвое меньше по размеру, чем чипы Toshiba, что положительно сказывается на стоимости их производства.
Источник: EE Times, Semiconductor Insights