Как сообщает источник со ссылкой на непосредственного разработчика (Matsushita Electric), компании удалось разработать новый тип GaN-транзитора (нитрид галлия). Новый вертикальный транзистор имеет субмикронные каналы, выполненные по новой технологии, которые самоупорядочиваются при производстве.
Такой подход позволяет добиться существенного снижения занимаемого устройством пространства - примерно 1/8 от площади, занимаемой аналогом, выполненном при использовании традиционного планарного (двухмерного) подхода.
Ширина канала, всего 0,3 µм, вполне достаточна для отсечки, что и требуется для высокоэффективной работы. Второе важное свойство вертикального транзистора это очень низкое сопротивление в открытом состоянии, достигнутое путем снижения сопротивления на вершине электрода. Проприетарная технология Panasonic, четверной сплав InAlGaN с эпитаксиальным слоем, позволяет достигать низкого контактного сопротивления при использовании сплава в качестве контактного слоя. Сплав InAlGaN примерно на 1/3 снижает величину контактного сопротивления благодаря снижению высоты барьера на электроде.
Кроме того, отмечается, что новый GaN-транзистор не имеет той "болезни", которая характерна для обычных, не вертикальных транзисторов - утечки тока при высоком напряжении, в основном, из-за зарядов на поверхности. Вертикальный транзистор имеет крайне низкую площадь, так что благодаря этому проблема утечки решена.
Благодаря выпуску такого устройства, основного элемента, используемого в микрочипах, производителям конечной продукции (процессоров/чипов) будет дан шанс создавать новые чипы, которые будут иметь еще меньший размер, чем производимые сегодня, будут потреблять меньше энергии и эффективнее ее использовать.
Результат работы исследователей из Panasonic были представлены на конференции Device Research Conference 2006, проходившей на днях в Пенсильвании (США).