Главная » Новости » 2006 » 06 » 27 27 июня 2006

Samsung: OneNAND-память становится ещё быстрее

Компания Samsung сообщила о разработке 2-Гбит чипа OneNAND-памяти. Сообщается, что новые микросхемы будут производиться с использованием 60-нм технологии. Устройства не только вдвое больше по объёму, чем предыдущее поколение OneNAND (1-Гб чипы) - скорость записи увеличилась с 9,3 Мб/с до 17 Мб/с. Скорость последовательного чтения осталась такой же - 108 Мб/с, что значительно выше, чем у NAND-флэш (примерно 27 Мб/с).

Объединяющая в себе такие преимущества NOR-флэш, как надёжность и скорость, с большими объёмами NAND, OneNAND-память найдёт своё применение, например, в гибридных HDD. При этом, объединив восемь таких чипов, можно создать накопитель объёмом 2 Гб со скоростью записи до 136 Мб/с. Думаем, что OneNAND ещё больше "подстегнёт" технологии, которым нужна быстрая энергонезависимая память - Robson, гибридные и твердотельные HDD и так далее.

Источник: CDRinfo

18:27 27.06.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.