В следующем месяце A-Data Technology намерена начать массовое производство 2-Гб модулей памяти FB-DIMM на DDR2-533 и DDR2-667 DRAM чипах производства Samsung и Elpida. К концу года компания планирует выйти на объемы производства в 15000 модулей в месяц.
Модули FB-DIMM A-Data, собранные с использованием AMB-чипов буфера производства Intel и IDT уже доступны в качестве опытных образцов. В прошлом году было принято решение использовать AMB-чипы буфера производства NEC, но предпочтение все же было отдано компаниям Intel и IDT. Так же было отменено прошлогоднее решение использования продукции Hynix, как поставщика DRAM-чипов.
В отличие от конкурентов, которые набирают 2-Гб модули чипами памяти плотностью 512 Гбит (схема 128х4), компания A-Data выбрала за основу 1-Гбит (схема 128х8) DRAM чипы в качестве способа упрощения термодизайна высокоемких FB-DIMM. Производимые модули A-Data имеют 6-слойный дизайн печатной платы (РСВ) разработки Brain Power.
В середине мая A-Data уже запустила в массовое производство 512-Мб и 1-Гб модули FB-DIMM на производственных мощностях в Тайбэе. Июньские показатели пока невелики - порядка 1000 единиц. Свою продукцию, новые емкие модули памяти FB-DIMM компания A-Data первоначально позиционирует в рынок США, который должен потреблять до 40% FB-DIMM-выхода компании. На данный момент компанией уже получена сертификация Intel трех представленных модулей DDR2-533 FB-DIMM объемом 512 Мб (AMB чипы Intel) и 1 Гб (чипы AMB Intel и IDT), собранных на 512 Мбит (64x8) чипах памяти Elpida.