Главная » Новости » 2006 » 04 » 10 10 апреля 2006

BeSang и Albany Nanotech придают памяти объем

Молодая компания по разработке полупроводниковых микросхем BeSang, не имеющая собственных производственных мощностей, обнародовала данные о создаваемой ее специалистами «объемной» памяти.

В проекте участвует нанотехнологический колледж (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE) университета города Олбани. В рамках трехлетней программы, затраты на которую составят 1,1 млн. долл., BeSang воспользуется материальной базой CNSE.

Подробности разработки пока держатся в секрете. Известно, что внутри полупроводниковой микросхемы память располагается поверх слоя логических схем. Запатентованная технология «плавающей памяти» (floating memory) позволяет повысить скорость работы и плотность хранения данных.

Обычная технология «объемных» чипов оперирует компоновкой на уровне корпусов, а разработка BeSang «компонует» многослойные полупроводниковые приборы в пределах одного чипа, используя «бесшовные и неограниченные» соединения между слоями. В результате, как считают разработчики, удается получить экономичный и быстродействующий вариант памяти.

BeSang планирует лицензировать свое детище производителям автономной и встраиваемой памяти.

Интересно отметить, что компания была создана сравнительно недавно - в 2003 году, а возглавил ее Сан-Юн Ли (San-Yun Lee) - человек, который в свое время занимал руководящие посты в Samsung, IDT и Motorola. Источники финансирования компании не афишируются.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.