Главная » Новости » 2006 » 02 » 09 9 февраля 2006

Создана память, работающая при напряжении питания 0,4 В

Снижение потребления энергии является на протяжении многих лет одним из основных направлений работы исследователей, создающих новые полупроводниковые приборы. Благодаря их усилиям в нашем распоряжении оказались сотовые телефоны, персональные проигрыватели и другая портативная электроника, по автономности соперничающая с самыми смелыми ожиданиями писателей-фантастов прошлого века.

Поскольку практически все мобильные устройства содержат в своем составе память, снижение напряжения питания памяти - один из ключей к новым достижениям в миниатюризации устройств и увеличении времени их автономной работы.

Исследователям компании Texas Instruments и Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) удалось создать статическую память (SRAM), которая, как они утверждают, является наиболее низковольтной памятью этого типа в отрасли на данный момент.

Выполненные по 65-нм технологии 256-килобитные чипы работают от источника напряжением 0,4 В.

Ячейка новой памяти отличается от существующих образцов, работающих от напряжения 0,6 В, значительно пониженным током утечки - в 2,25 раза. Сообщается, что ячейка построена из 10 транзисторов, а не из 6, как ранее. Важным фактором в уменьшении энергопотребления стало усовершенствование структуры транзистора.

Ожидается, что разработка откроет дорогу сверхнизковольтным приборам, изготавливаем по 45-нм технологии.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.