Южнокорейский производитель отказался от ранее намеченного плана наращивания во втором-третьем квартале текущего года выпуска DRAM по нормам 70 нм на одной из фабрик, выпускающих 300-мм пластины. Источник сообщил об этом со ссылкой на тайваньских производителей модулей памяти DRAM, близких к Samsung.
Вместо этого, Samsung Electronics увеличит объемы выпуска DRAM на одной из своих 200-мм фабрик, использующих 0,10-мкм процесс, а 300-мм фабрика будет занята под изготовление флэш-памяти NAND.
Таким образом, выпуск компанией новой памяти DRAM будет ограничен, что повлияет на цены DRAM в сторону их повышения. Источник отмечает, что информация о планах Samsung помогает понять причину резкого подъема цен - недавно Samsung на 10% увеличил цену на память DRAM для OEM.
Перераспределение загрузки производственных мощностей позволит компании сфокусироваться на памяти NAND, сулящей более высокую прибыль. В то же время, тайваньские производители DRAM получают шанс расширить свое присутствие на рынке, предложив больше памяти DDR2, изготавливаемой на их 300-мм фабриках.
Источник: DigiTimes