Основное преимущество ячеек постоянной памяти, над которыми работают специалисты двух компаний - программирование при низких затратах энергии. Напряжение программирования - 1,5 В, ток - 100 мкА. Новинка предназначена для использования в роли постоянного запоминающего устройства микроконтроллеров следующего поколения для домашней техники, автомобилей, информационных и управляющих устройств.
Компании сообщили о готовности прототипа. По скорости записи и чтения он превосходит образцы, выпускаемые по существующей технологии. Кроме того, новая память долговечнее, компактнее и лучше интегрируется в однокристальные системы.
Для изготовления прототипа был задействован 130-нм CMOS-процесс. Транзисторы структуры "метал-окисел-полупроводник" в новой памяти работают совместно со специальной пленкой, при нагревании переходящей между аморфным состоянием, для которого характерно высокое сопротивление, и кристаллическим, в котором материал имеет низкое сопротивление. В каждой ячейке памяти сформирован вольфрамовый "донный электрод" (bottom-electrode contact, BEC) диаметром 180 нм. Состояние ячейки ("1" или "0") определяется по току, протекающему в направлении пленки.
Источник: Renesas