На минувшей неделе состоялся второй международный симпозиум по иммерсионной литографии (2nd International Symposium on Immersion Lithography), одним из главных результатов которого стало одобрение использования 193-нм иммерсионной литографии для массового производства полупроводниковых микросхем по 65-нм и 45-нм нормам.
В итоговом сообщении европейского исследовательского центра IMEC утверждается, что намеченные ранее сроки внедрения иммерсионной литографии в производство остаются в силе. В настоящее время продолжаются работы по изучению взаимодействия фоторезистивных покрытий и верхних слоев полупроводника с водой, но уже сейчас у исследователей складывается более-менее цельная картина.
Одной из главных проблем, однако, остается количество дефектов – но уже сейчас понятно, что иммерсия (погружение в воду) действительно вносит свой вклад в их образование.
IMEC называет несколько основных достижений, продемонстрированных в ходе симпозиума:
- Литографические инструменты с числовой апертурой менее 1 уже сейчас обеспечивают высокий выход годных чипов. Изучено взаимодействие фоторезиста с водой, продемонстрированы технологические процессы без внешнего слоя
- Сканеры с числовой апертурой более 1, наиболее полно использующие преимущества иммерсионного подхода, будут доступны на рынке в будущем году. Эффекты, связанные с поляризацией масок, могут быть сведены к минимуму при манипуляции с поляризацией источника света
- Для очень больших значений числовой апертуры (1,3), первые исследования жидкостей и оптических материалов подтверждают возможность использования иммерсионных технологий до 45-нм норм (правда, для этого придется использовать не воду, а жидкость с большим коэффициентом преломления)
Поэтому, в качестве направлений исследования на будущее, IMEC обозначила следующее:
- Выбор жидкостей и материалов для изготовления линза с высоким коэффициентом преломления
- Развитие технологий фоторезистивных покрытий
- Разработка растворов, снижающих количество дефектов, связанных с иммерсией
- Демонстрация возможности двойной экспозиции
- Управление поляризацией для значений числовой апертуры менее 1
- Разработка фотомасок с минимальной зависимостью от поляризации источника света