Главная » Новости » 2005 » 09 » 25 25 сентября 2005

IMEC подтверждает готовность иммерсионных технологий для производства по 45-нм нормам

На минувшей неделе состоялся второй международный симпозиум по иммерсионной литографии (2nd International Symposium on Immersion Lithography), одним из главных результатов которого стало одобрение использования 193-нм иммерсионной литографии для массового производства полупроводниковых микросхем по 65-нм и 45-нм нормам.

В итоговом сообщении европейского исследовательского центра IMEC утверждается, что намеченные ранее сроки внедрения иммерсионной литографии в производство остаются в силе. В настоящее время продолжаются работы по изучению взаимодействия фоторезистивных покрытий и верхних слоев полупроводника с водой, но уже сейчас у исследователей складывается более-менее цельная картина.

Одной из главных проблем, однако, остается количество дефектов – но уже сейчас понятно, что иммерсия (погружение в воду) действительно вносит свой вклад в их образование.

IMEC называет несколько основных достижений, продемонстрированных в ходе симпозиума:

  • Литографические инструменты с числовой апертурой менее 1 уже сейчас обеспечивают высокий выход годных чипов. Изучено взаимодействие фоторезиста с водой, продемонстрированы технологические процессы без внешнего слоя
  • Сканеры с числовой апертурой более 1, наиболее полно использующие преимущества иммерсионного подхода, будут доступны на рынке в будущем году. Эффекты, связанные с поляризацией масок, могут быть сведены к минимуму при манипуляции с поляризацией источника света
  • Для очень больших значений числовой апертуры (1,3), первые исследования жидкостей и оптических материалов подтверждают возможность использования иммерсионных технологий до 45-нм норм (правда, для этого придется использовать не воду, а жидкость с большим коэффициентом преломления)

Поэтому, в качестве направлений исследования на будущее, IMEC обозначила следующее:

  • Выбор жидкостей и материалов для изготовления линза с высоким коэффициентом преломления
  • Развитие технологий фоторезистивных покрытий
  • Разработка растворов, снижающих количество дефектов, связанных с иммерсией
  • Демонстрация возможности двойной экспозиции
  • Управление поляризацией для значений числовой апертуры менее 1
  • Разработка фотомасок с минимальной зависимостью от поляризации источника света

Источник: EE Times

01:20 25.09.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.