ProMOS Technologies сообщает что серьезная поддержка со стороны Hynix позволила ей опередить освоение техпроцесса 90 нм на 2 месяца согласно своего плана работы. В это же время компании Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) и Nanya также ведут исследования в этом направлении.
Глава компании, Чен (ML Chen) отметил, что процесс производства 90 нм пластин начнется с объема в 3000 шт. в 12" эквиваленте, начиная с сентября и затем будет постепенное увеличение до 7 тыс. к концу года.
Помощь со стороны корейского партнера в лице Hynix позволила значительно ускорить процесс технологической адаптации, что в принципе в интересах самой Hynix, поскольку она намерена увеличивать свое рыночное присутствие в сегменте NAND флэш-памяти, а с успешным освоением 90 нм производства ProMOS поможет ей в будущем "прикрыть тылы" по поставкам DRAM модулей.
PSC получала технологическую поддержку со стороны Elpida Memory c августа 2004 года, через два месяца компания готова начать массовое производство DDR-модулей по 90 нм техпроцессу. В планах компании также пилотное производство DDR2 памяти, - ближе к концу этого года процесс должен быть отлажен.
Тем временем Inotera также форсирует свое производство по 90 нм нормам — производство модулей DDR2 и массовые поставки чипов 512 Мбит DDR2 должны начаться в этом квартале.