STMicroelectronics сообщает о разработке новой технологии создания BGA (ball grid array) микросхем путем склеивания до восьми чипов (кристаллов). Толщина получающегося «бутерброда» составляет до 1,6 мм, а технология может быть также использована для упаковки двух чипов памяти в UFBGA (ultra thin fine pitch BGA) микросхему толщиной до 0,8 мм.
Разработка STMicroelectronics, как отмечается в пресс-релизе, предназначена для использования в портативных устройствах, в первую очередь – в КПК, сотовых телефонах и цифровых камерах.
STMicroelectronics – не первая, кто внедрила подход к совмещению нескольких чипов в одном корпусе – например, Samsung таким макаром уже выпускает микросхемы NAND флэш-памяти емкостью до 8 Гбит. Подчеркивается, однако, что разработка STMicroelectronics позволяет в одном MCP (multi-chip package) корпусе разместить SRAM, флэш (как NOR, так и NAND) и DRAM память одновременно.
А для того, чтобы получающиеся в результате совмещения нескольких чипов в MCP микросхемы не были слишком толстыми, толщина каждого кристалла уменьшена до 40 мкм. Между каждыми кристаллами находится слой изолятора, также толщиной 40 мкм. Отмечается, что для обработки таких тонких чипов STMicroelectronics использует особый подход, а соединения выполняются не медными, а золотыми проводниками.