Samsung Electronics планирует наладить серийное производство 8 Гбит микросхем NAND-флэш, выполненных по технологии MLC, в начале апреля и начать поставки продукции в промышленных объемах в конце того же месяца. Если исходить из планов компании, опубликованных еще в октябре прошлого года, Samsung явно идет с опережением графика. Напомним, что корейский производитель намеревался начать серийное производство микросхем указанной плотности только в четвертом квартале текущего года. 8 Гбит микросхемы NAND-флэш компании выполнены с использованием 60-нм техпроцесса. Размер ячейки памяти в новых микросхемах сокращен по сравнению с размером ячейки 4 Гбит NAND-флэш, выполненных с использованием норм 70-нм техпроцесса, на 30%. Ключевыми технологиями, позволившими добиться сокращения размеров ячейки при одновременном увеличении плотности, являются 3D-транзисторы и особая технология изолирования затвора, снижающая интерференцию между ячейками. Можно предположить, что ближе к концу весны или летом поменяются и планы Samsung по выпуску 16 Гбит микросхем, которые предварительно планировалось выпускать в 2007 году.
Образцы 8 Гбит микросхем, согласно источникам среди производителей DRAM, уже в скором времени будут представлены заказчикам. Стоит напомнить, что конкуренты, Toshiba и SanDisk, уже начали серийное производство 8 Гбит (2x4, stacked) микросхем NAND-флэш (напряжение питания — Vcc 2,7~3,6 В, размер страницы — 2048+64 байт, время записи — 600 µс/стр, время стирания — 2 мс/блок), правда, выполнены они с использованием норм 90-нм техпроцесса. Более того, японский производитель упорно дышит в спину корейскому конкуренту — в 2005 году компания планирует представить 1, 2, 4, 8 и 16 Гбит микросхемы NAND-флэш, выполненные с использованием норм 70-нм техпроцесса. 8 Гбит микросхема будет состоять из двух 4 Гбит компонентов, 16 Гбит – из двух 8 Гбит компонентов. В середине 2006 или начале 2007 года Toshiba намеревается выпустить 16 Гбит микросхемы, выполненные с использованием норм 55-нм техпроцесса, которые будут производиться Yokkaichi Operations. Серийный выпуск микросхем на 300-мм подложках на этой фабрике начнется во второй половине 2005 года.
Причем, первые шаги по приближению к лидеру (рыночная доля Samsung в секторе — около 65%) уже сделаны: тандем Toshiba-SanDisk уже продемонстрировал выполненную по 70-нм технологии 8 Гбит микросхему NAND на ISSCC в Сан-Франциско. Представители компаний отметили, что при разработке были использованы специальные технологии дизайна, которые повлекли за собой увеличение размера микросхемы всего на 5% по сравнению с предыдущими, плотностью 4 Гбит, выполненными по 90-нм технологии.
Микросхема имеет плотность 3 млрд. транзисторов на квадратный сантиметр, скорость записи составляет 6 Мб/с, максимальная скорость чтения достигает 60 Мбит/с, что на 40 процентов выше скорости предыдущего поколения. Компании намерены начать серийное производство микросхем уже этим летом.