Главная » Новости » 2004 » 12 » 14 14 декабря 2004

Мировой рынок памяти: в краткосрочной перспективе возможен рост цен

Несмотря на начало недели, когда количество сделок мало, эта неделя началась высокой активностью трейдеров на спотовом рынке. Так, например, на гонконгской бирже вчера цены как компонентов, так и оригинальных 512 Мб DDR333/400 SDRAM DIMM значительно поднялась. Маркеры, 256 Мбит (32x8) компоненты DDR266/333/400 SDRAM сегодня на открытии стоили 3,68/3,85 и 4,00 доллара соответственно. Цена нетестированных компонентов после вчерашних торгов поднялась до 3,52-3,55 доллара за микросхему.

После массового сброса на спотовый рынок микросхем памяти в конце прошлого месяца поставщики системной памяти резко сократили продажи компонентов в первой половине декабря. Как отмечают специалисты DRAMeXchange, спрос на память китайских трейдеров накануне Нового года по Лунному календарю увеличился, чего нельзя сказать о поставках, тщательно контролируемых производителями. По мнению аналитиков, ведущие производители памяти постараются удержать цены на текущем уровне по крайней мере до момента обновления контрактных цен на вторую половину декабря – начало января.

На сегодняшних торгах цена микросхем DDR SDRAM продолжила расти, а вот SDR SDRAM, несмотря на прекращение снижения отпускных цен компонентов этого типа памяти от Samsung, пока еще продолжает падать. Как и предполагалось в справках по рынку памяти 9 и 10 декабря, ближе к середине этой недели цены основной памяти, потребляемой рынком, начали расти. Более того, усиление спроса потребителей Китая укладывается в рамки сделанных сообщений о дефиците мощностей и оборудования для тестирования микросхем и вытекающего отсюда роста цен.

Судя по графикам среднесуточной цены и средней цены компонентов за 30 дней, уже сегодня средние цены за день могут превысить показатель за 30 дней, т.н. «golden cross», что (при соблюдении ряда условий) может означать начало тенденции роста. Среди условий, которые должны выполниться, стоит упомянуть, во-первых, сохранение спроса (или его рост), во-вторых, продолжение контроля за объемами микросхем, поставляемых на рынок производителями. Судя по всему, можно предаоложить, что в течение ближайшей недели тенденция роста сохранится (возможны различия лишь в среднесуточном темпе).

Для воссоздания полной картины, сложившейся в индустрии на текущий момент, стоит привести данные отделения исследования рынка DRAMeXchange. По оценкам специалистов глобальный выпуск DRAM в ноябре вырос по сравнению с предыдущим месяцем на 9,1% и составил 460,2 млн. условных (256 Мбит) микросхем. Это – самый высокий показатель роста выпуска за весь год. В декабре же выпуск микросхем снизится, поскольку, во-первых, новые мощности на 12-дюймовых фабриках будут введены в эксплуатацию не ранее 2005 года, а, во-вторых, в конце года увеличение выпуска микросхем просто нецелесообразно.

Мировой выпуск DRAM (млн, условных микросхем)
  Ноябрь Месячное изменение Октябрь
Южная Корея 200,14 10,1% 181,7
Германия 88,05 18,8% 74,1
Тайвань 85,99 4,4% 82,4
США 56,88 4,6% 54,4
Япония 29,1 -0,3% 29,2
Итого 460,16 9,1% 421,8

Мировой выпуск DDR2 SDRAM (млн. условных микросхем)
  Ноябрь Месячное изменение Октябрь
Южная Корея 31 10,7% 28
Германия 18,1 503,3% 3
Тайвань 0,8 -38,5% 1,3
США 8,5 70,0% 5
Япония 5 8,7% 4,6
Итого 63,4 51,3% 41,9

 

10:24 14.12.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.