Главная » Новости » 2004 » 12 » 13 13 декабря 2004

Улучшения в технологии "растянутого кремния" — Dual Stress Liners

Совместная разработка компаний IBM и AMD, которая называется Dual Stress Liners (DSL, не путать с Digital Subscriber Line) должна обеспечить прирост производительности современных чипов, которые будут производиться с применением улучшенной технологии "растянутого кремния".

На данный момент уже идут продажи процессоров с применением технологии strained silcon ("растянутый кремний"), - например, Intel Prescott, производимый по техпроцессу 90-нм. Однако обе компании задействуют улучшенную технологию (DSL) для новых моделей, производимый по нормам как 90 нм, так и 65 нм.

Согласно предварительным данным, улучшения заключаются в повышении производительности транзисторов на 24%-30%. Однако само внедрение DSL в производство не снижает количества годных чипов на кремниевой пластине, что означает, что себестоимость производства не увеличится, т.е. адаптация новой технологии видится приемлемой, — без дополнительных затрат, а значит, это благоприятно скажется на конечной цене микропроцессора.

Растянутый кремний подразумевает расположение атомов в слое кремния таким образом, что электроны способны перемещаться быстрее от одного конца транзистора к другому. Т.е. процесс открытия-закрытия транзистора происходит быстрее до 30%, что увеличивает быстродействие чипа. На данный момент, многие компании используют в своем производстве германий под слоем транзисторов, что обеспечивает расположение транзисторов на некотором расстоянии друг от друга. Использование германия отрицательно сказывается на цене и у AMD уже были попытки производить чипы таким образом. Однако производство пришлось свернуть из-за сложностей техпроцесса. Применение германия позволяет лишь частично оптимизировать процесс производства, оказывая влияние только на N транзисторы.

Представитель компании AMD Ник Кеплер (Nick Kepler) пока не уточнил применяемые материалы в технологии DSL, но именно применение разных материалов в производстве позволяет осуществить двойную оптимизацию работы транзисторов — улучшая еще и дырочную проводимость в транзисторах (P-channel).

Обе компании, IBM и AMD обещают предоставить официальные данные и детали относительно Dual Stress Liners на проходящей с 13 по 15 декабря в Сан-Франциско выставке-конференции IEEE International Electron Devices Meeting 2004.

Производство чипов с применением DSL также подогреет интерес ко всем компаниям, производящим чипы. Процессоры от Intel, производимые по технологии 65 нм, также задействуют улучшенную технологию "растянутого кремния". Выход этих процессоров ожидается уже к концу года.

13:35 13.12.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.