Организованный чуть больше двух лет назад, консорциум X Initiative продолжает набирать обороты: тайваньская «кузница чипов» TSMC сообщила вчера о выпуске тестового чипа по 130-нм нормам с диагональными (X Architecture) внутренними соединениями. Это означает, что до массового производства полупроводниковых интегральных микросхем на архитектуре X Architecture остались считанные дни. Правда, в самой X Initiative полагают, что первые коммерческие продукты появятся на рынке не раньше 2005 год.
Сейчас TSMC ведет со своими клиентами переговоры о переходе на новую архитектуру соединений. По замыслу организаторов консорциума, применение диагональных внутренних соединений должно, во-первых, обеспечить экономию при производстве и экономию электроэнергии при работе микросхем, во-вторых, улучшить производительность за счет того, что длина проводников будет сокращена.
Заметим, что до TSMC уже сообщалось об успешном создании 65-нм и 90-нм чипов с диагональными соединениями.
Ссылки по теме: