Semiconductor Insights: анализ микросхем NAND-флэш высокой плотности

ПредыдущаяСледующая
1174

Как мы уже неоднократно упоминали в обзорах рынков, высокий темп роста беспроводных устройств и бытовой электроники привлек многих производителей DRAM и они начали борьбу за рыночные доли в секторе флэш-памяти (среди последних присоединившихся стоит упомянуть Hynix, ST, Infineon и потенциально Micron). Это вынудило уже "сложившихся" производителей увеличивать плотность микросхем и начать снижать стоимость бита памяти.

Samsung занимает лидирующие позиции за счет выпуска микросхем SBC (Single Bit per Cell) архитектуры; недавно проведенные Semiconductor Insights анализы микросхем K9F2G08U0M подтвердили, что это – действительно первые микросхемы, выполненные с использованием норм 90-нм техпроцесса. Размер кристалла – 144 мм2 (у ближайшего конкурента, 2 Гбит MLC-микросхем, выполненных Toshiba по 130-нм техпроцессу – 149 мм2). Вероятно, никому не стоит напоминать, что если Samsung выпускает микросхемы с SBC-архитектурой, то Toshiba предпочитает MLC-архитектуру.

Одним из преимуществ последней архитектуры является возможность увеличения плотности при использовании существующих техпроцессов, и с дальнейшим потенциалом перехода на новые технологии, то есть, пока затраты на производство минимальны. Недавно Toshiba сообщила, что планирует вдвое увеличить плотность микросхем – выпустив 4 Гбит микросхемы с использованием норм 90-нм технологии. Если переход осуществится удачно, память Toshiba будет иметь преимущество в стоимости, что ставит под угрозу лидерство Samsung на рынке.

Что касается плотности, современный микросхемы NAND-флэш как правило имеют размер кристалла от 135 до 150 мм2. Как правило производители стараются на превышать размера кристалла 150 мм2 в микросхемах высокой плотности, в противном случае это чревато снижением количества годных к использованию микросхем.

Что касается проанализированных в последнее время SI микросхем флэш-памяти, то их характеристики приведены ниже. Стоит отметить, что они практически одинаковы – вне зависимости от типа архитектуры и вариантов исполнения вообще. За исключением микросхем HY27US08121MTIB (Hynix), которые при плотности 6,12 Мбит/мм2 ближе к 1 Гбит микросхемам. Это, кстати, дает основание предположить скорый анонс 1 Гбит микросхем. Являясь одним из самых молодых игроков на рынке флэш-памяти, Hynix приняла на вооружение грамотную стратегию представления в качестве начального продукта 512 Мбит микросхем, а затем – перехода к 1 Гбит решениям. Как бы то ни было, но компания пока не имеет рыночной доли, поэтому для получения своей части рынка Hynix придется приложить немало усилий.

30 апреля 2004 Г.

12:25

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Назван срок «ожидаемой доступности» объектива Sony FE 400mm F2.8 GM OSS: К сожалению, цена новинки пока остается неизвестной

Обновление BIOS для системных плат ASUS подтвердило скорый выход процессоров Raven Ridge и Pinnacle Ridge: Выход этих процессоров ожидается не позднее февраля 2018 года

Агроэлектризация: в Германии представлен электрический трактор Fendt e100 Vario: Массовое производство Fendt e100 Vario начнется только через год15

Samsung Electronics создаст центр разработки искусственного интеллекта: Где будет расположен новый исследовательский центр — пока неизвестно7

Беззеркальная камера Leica CL оснащена электронным видоискателем и поддерживает запись видео 4K: Leica CL на родине оценена в 2500 евро7

В Бразилии цена iPhone X начинается с отметки $2170: Столь высокая цена в Бразилии, в частности, объясняется 60-процентным налогом на импортированные товары стоимостью до $3000 14

Экран смартфона Samsung Galaxy S9 будет занимать 90% лицевой панели: Автор слуха утверждает, что нижняя рамка дисплея смартфона практически полностью исчезнет34

Цены на оперативную память увеличатся на 10-15% в текущем квартале: Компании Nanya Technology и Winbond Electronics благодаря росту цен на оперативную памяти смогли попасть в пятерку лучших поставщиков DRAM5

Consumer Report поставила максимальные 100 баллов кухонным плитам Samsung: Обозреватели, в частности, выделили светодиодную систему виртуального пламени, которая имитирует горение газовой конфорки32

Работа камеры OnePlus 5T будет улучшена при помощи обновления ПО: К сожалению, сроки выпуска обновления пока не сообщаются2

Бюджетный смартфон Uhans i8 получил систему распознавания лиц пользователей: Цена Uhans I8 составляет 130 долларов

Экшн-камера MGCool Explorer 3 будет поддерживать запись видео разрешением 4К при 30 к/с: При помощи специального чехла камера сможет выдерживать погружения на глубину до 30 м2

Eluga C — первый «полноэкранный» смартфон Panasonic: Над дисплеем находится только вырез громкоговорителя, а фронтальная камера переместилась на нижнюю панель5

Смартфон 360 N6 Pro может получить второй экран и два дактилоскопических датчика: Анонс новинки состоится 28 ноября3

Производитель называет Vernee Active лучшим защищенным смартфоном на рынке: Vernee Active оснащен аккумулятором емкостью 4200 мА•ч, разъемом USB-С, модулем NFC, поддерживается 18-ваттная быстрая зарядка4

997
1318

iXBT TV

  • Обзор проекционного документ-сканера Doko BS16

  • Обзор материнской платы Z370 Aorus Gaming 7 под процессоры Coffee Lake

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

1212

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать