В самом конце марта Samsung объявила о том, что решила все проблемы со своим 100-нм технологическим процессом, связанные с малым выходом годных чипов и вызванные переходом на новый материал шины – вместо силицида вольфрама теперь будет использован вольфрам. Вчера компания вновь напомнила о том, что смогла достичь высокого процента годных чипов, привела данные (теперь этот показатель составляет 80%) и сообщила о замене еще одного материала – диэлектрических пленок.
По мнению компании, именно использование пленок из оксида алюминия (Al2O3) было причиной того, что достичь более высокого процента годных чипов пока не удавалось. Так или иначе, а теперь 100-нм завод Samsung, находящийся в Тайване, сможет производить до 1 млн. 256-Мбит чипов DRAM ежемесячно.