Спустя неделю после анонса своих достижений в области литографических технологий, позволяющих говорить о возможности производства чипов по 45-нм нормам без иммерсии, TSMC сообщила на днях о том, что готова представить образцы полупроводниковых транзисторов с размерами вентилей 5 и 10 нм (соответствие 22-нм нормам).
Эти транзисторы будут выполнены по технологии FinFET (с затвором, напоминающем по форме плавник, см. подробнее тут), а представлены они будут на симпозиуме VLSI Technology and Circuits Symposia в июне.
FinFET-устройства с n- и p- проводимостью затвора обладают временем срабатывания в 0,22 и 0,48 пкс, соответственно. Ток перехода в режиме обратного смещения не превышает 10 нА на микрон.