Главная » Новости » 2004 » 04 » 12 12 апреля 2004

TSMC создала FinFET-транзистор с затвором 5 нм

Спустя неделю после анонса своих достижений в области литографических технологий, позволяющих говорить о возможности производства чипов по 45-нм нормам без иммерсии, TSMC сообщила на днях о том, что готова представить образцы полупроводниковых транзисторов с размерами вентилей 5 и 10 нм (соответствие 22-нм нормам).

Эти транзисторы будут выполнены по технологии FinFET (с затвором, напоминающем по форме плавник, см. подробнее тут), а представлены они будут на симпозиуме VLSI Technology and Circuits Symposia в июне.

FinFET-устройства с n- и p- проводимостью затвора обладают временем срабатывания в 0,22 и 0,48 пкс, соответственно. Ток перехода в режиме обратного смещения не превышает 10 нА на микрон.

Источник: PC Watch

12:04 12.04.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.