Компании OCZ Technologies и DataSecure LLC сообщили о совместной поддержке технологий отложенного подзаряда (Posted Precharge) и сокращения задержек DRAM. Технология отложенного подзаряда, по словам представителей компаний, способна обеспечить эффективную работу с ограниченным количеством открытых страниц памяти.
Путем небольших изменений кристалла, технология DataSecure Posted Precharge позволяет хранить открытыми ряды памяти при доступе к различным страницам в пределах одного банка. Таким образом, при повторном обращении к банку памяти доступ к данным возможен без повторного открытия страницы. Путем интеграции регистров SRAM возможно еще больше снизить латентность для обеспечения псевдо-изохронного доступа к данным при чтении.
Как справедливо отметил один из сооснователей DataSecure LLC, отложенная подзарядка, позволяющая сократить конфликты на шине и держать открытыми несколько страниц в одном банке памяти, особенно эффективна для серверных приложений с большим количеством произвольных доступов; при активированном HyperThreading отложенный подзаряд позволит увеличить пропускную способность памяти, а также открывать следующую страницу до окончания цикла доступа к банку.
Как отметил исполнительный директор OCZ Technology, Райан Петерсен, технология, предложенная DataSecure, "интригует своей простотой и элегантностью". Пожалуй, можно согласиться, что это – одна из обещающих технологий для DRAM, предложенных в последнее время.