Компания Micron Technology представила 288 Мбит микросхемы RLDRAM II (reduced latency DRAM), тайминги которых оказались даже меньше, чем планировалось. В настоящее время специалисты американской компании исследуют возможность работы этих микросхем с временем произвольного доступа менее 20 нс, что критично для сферы применения этой памяти: RLDRAM II позиционируется как решение для коммуникационных устройств и систем хранения данных.
Тактовая частота работы микросхем памяти – 400 МГц, пропускная способность – 800 Мбит/с на контакт при tRC=20 нс. Восьмибанковая архитектура оптимизирована под работу с сетевыми системами и приложениями, интенсивно работающими с графикой, поскольку пиковая пропускная способность 36-битного интерфейса составляет 28,8 Гбит/с.
Среди дополнительных преимуществ RLDRAM II можно назвать внутрикристальную терминацию (on-die termination, ODT), мультиплексируемую и не-мультиплексируемую адресацию, встроенный формирователь задержки (on-chip delay lock loop, DLL), программируемый импеданс выхода и напряжение питания 1,8 В.
Новые 288 Мбит чипы RLDRAM II поставляются в стандартных 144-контактных корпусах FBGA размером 11 х 18,5 мм.
Напомним, что о начале поставок образцов этих микросхем компания объявила в октябре прошлого года.