Главная » Новости » 2004 » 01 » 28 28 января 2004

RLDRAM II: чуть лучше, чем ожидалась

Компания Micron Technology представила 288 Мбит микросхемы RLDRAM II (reduced latency DRAM), тайминги которых оказались даже меньше, чем планировалось. В настоящее время специалисты американской компании исследуют возможность работы этих микросхем с временем произвольного доступа менее 20 нс, что критично для сферы применения этой памяти: RLDRAM II позиционируется как решение для коммуникационных устройств и систем хранения данных.

Тактовая частота работы микросхем памяти – 400 МГц, пропускная способность – 800 Мбит/с на контакт при tRC=20 нс. Восьмибанковая архитектура оптимизирована под работу с сетевыми системами и приложениями, интенсивно работающими с графикой, поскольку пиковая пропускная способность 36-битного интерфейса составляет 28,8 Гбит/с.

Среди дополнительных преимуществ RLDRAM II можно назвать внутрикристальную терминацию (on-die termination, ODT), мультиплексируемую и не-мультиплексируемую адресацию, встроенный формирователь задержки (on-chip delay lock loop, DLL), программируемый импеданс выхода и напряжение питания 1,8 В.

Новые 288 Мбит чипы RLDRAM II поставляются в стандартных 144-контактных корпусах FBGA размером 11 х 18,5 мм.

Напомним, что о начале поставок образцов этих микросхем компания объявила в октябре прошлого года.

14:29 28.01.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.