Как сообщила TSMC, компания собирается начать использование иммерсионных литографических инструментов для выпуска первых полупроводниковых микросхем с соблюдением норм 65-нм технологического процесса, планируемого на середину 2005 года.
В прошлом декабре TSMC приобрела 193-нм иммерсионный сканер у голландской компании ASML. Согласно последним планам компании, в этом сентябре сканер будет установлен на 300-мм заводе Fab 12.
Первоначально TSMC планирует использовать иммерсионный 193-нм сканер для изготовления сложных затворов и контактов по 65-нм нормам. В середине 2005 года компания надеется начать обработку опытных партий, в то время как остальные пока не планируют использовать иммерсионные технологии, обходясь «сухими» сканерами для 65-нм норм. Во-первых, TSMC надеется вдоволь «поиграть» с новым для промышленности видом сканеров, во-вторых, использование иммерсии (погружения в воду) позволит при одинаковой с «сухим» сканером числовой апертуре (0,85) достичь большей глубины резкости (380 нм вместо 180 нм), что облегчает борьбу с аберрациями оптики или неровностями поверхности полупроводниковой подложки.
Напомним, что успехи иммерсионной литографии сейчас позволяют говорить о продлении цикла использования 193-нм сканеров вплоть до 32-нм норм и отодвигают перспективы внедрения EUV-литографии на дальние рубежи, пока не будет решена проблема стоимости EUV (extreme ultraviolet, жесткий ультрафиолет) устройств. Возможно, что улучшение числовой апертуры (применение катадиоптрической оптики и т. п.) и увеличение показателя преломления (n) используемых для погружения жидкостей (для воды n составляет 1,43) может вообще вытеснить EUV, не говоря уже о 157-нм сканерах.
Ссылки по теме:- Иммерсионная литография позволит создавать чипы по 35-нм нормам
- В ближайшие 27 месяцев в Европе будет море Мура
- NanoCMOS: суждено ли европейцам реализовать свои амбиции?
- Иммерсионные и импринт-литографические технологии вытеснят EUV?
- International EUV Symposium: Intel о коммерциализации EUV. CaF по-прежнему дороже золота