Похоже, начинается гонка за лидером: вслед за Micron, сообщившей о начале серийного производства и Elpida, начавшей поставки первых модулей на чипах DDR2 SDRAM, корейская Hynix подтвердила свою готовность к началу серийного производства чипов DDR2 SDRAM в 1 квартале 2004 года. К настоящему моменту чипы компании, выполненные с использованием 0,11-мкм техпроцесса, прошли сертификацию Intel для использования этой памяти в системах с процессорами Intel.
Как и американский и японский конкуренты, корейская компания начнет выпуск 512 Мбит (64x8) чипов DDR2-400 и DDR2-533 SDRAM с напряжением питания 1,8 В.
- VDD = 1,8 В, VDDQ = 1,8 В
- I/O = SSTL_18
- Линейная скорость обмена данными: 400 Мбит/с на контакт или 533 Мбит/с на контакт
- Производительность: до 3200 Мб/с или 4300 Мб/с в 64-битных системах
- Организация: 4 банка
- Задержка на запись данных: WRITE latency = READ latency — 1 такт
- Дифференциальное стробирование (differential strobe)
- Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
- Встроенная терминация (on-die termination, ODT)
Первые 512 Мбит чипы DDR2 Hynix представила в конце октября, так что в терминах разработки новых чипов корейский производитель не очень сильно отстает от конкурентов. Впрочем, если учесть, что, по словам аналитиков, на начальном этапе DDR2 будет использоваться, судя по всему, производителями серверов, которые более склонны платить высокую цену за большие скорости, небольшое энергопотребление и небольшие размеры чипов нового типа, небольшой временной зазор в представлении собственных разработок не будет критичным.
Специалисты Semico Research отмечают, что если цена DDR 2 на начальном этапе будет слишком высокой, производители ПК могут на некоторое время отказаться от этого типа памяти, поскольку чипсеты Intel с поддержкой DDR 2 будут поддерживать и DDR 1, добавляя, что традиционно стоимость памяти в OEM — системе не должна превышать 10% порога.