Samsung Electronics анонсировала начало массового производства 256 Мбит чипов SDRAM с пониженным потреблением энергии для следующих поколений PDA и телефонов стандарта IMT-2000.
Новые 256 Мбит чипы SDRAM от Samsung выпускаются по нормам 0,15 мкм техпроцесса и имеют рабочее напряжение питания 2,5 В; для снижения потребляемой энергии применены технологии Partial Array Self Refresh (авторегенерация в режиме Standby только при наличии данных в банках памяти) и Temperature Compensated Self Refresh (скорость регенерации зависит от температуры). Потребление энергии новыми чипами от Samsung, по заверениям разработчиков, составляет около 10% от уровня потребления обычной SDRAM. Чипы выпускаются в упаковке Thin Small Outline Package (TSOP).