Главная » Новости » 2001 » 12 » 04 4 декабря 2001

AMD: 15 нм CMOS транзистор

AMD объявила о значительном продвижении в технологии создания CMOS транзисторов для следующих поколений процессоров. В лабораториях компании удалось создать транзистор с затвором шириной всего 15 нм (0,015мкм) - прототип устройств, на которых будут выпускаться процессоры компании к 2009 году. Именно на этот год в технологическом роадмэпе компании намечен выпуск чипов с нормами 30 нм техпроцесса на 300 мм кремниевых пластинах.

Новый 15 нм CMOS транзистор, разработанный в центре AMD Submicron Development Center, имеет напряжение питания 0,8 В, время переключения составляет порядка 0,3 пс, или 3,33 трлн. переключений в секунду. Разработка такого "кирпичика" будущих процессоров показывает, что AMD шагает в ногу со временем и с лидерами индустрии - Intel и IBM.

Официальное представление новой технологии AMD намерена сделать 4 декабря в Вашингтоне на International Electron Devices Meeting (IEDM 2001).

12:33 04.12.2001
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2001

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.