AMD объявила о значительном продвижении в технологии создания CMOS транзисторов для следующих поколений процессоров. В лабораториях компании удалось создать транзистор с затвором шириной всего 15 нм (0,015мкм) - прототип устройств, на которых будут выпускаться процессоры компании к 2009 году. Именно на этот год в технологическом роадмэпе компании намечен выпуск чипов с нормами 30 нм техпроцесса на 300 мм кремниевых пластинах.
Новый 15 нм CMOS транзистор, разработанный в центре AMD Submicron Development Center, имеет напряжение питания 0,8 В, время переключения составляет порядка 0,3 пс, или 3,33 трлн. переключений в секунду. Разработка такого "кирпичика" будущих процессоров показывает, что AMD шагает в ногу со временем и с лидерами индустрии - Intel и IBM.
Официальное представление новой технологии AMD намерена сделать 4 декабря в Вашингтоне на International Electron Devices Meeting (IEDM 2001).