MoSys вчера анонсировала свою новую технологию производства встраиваемой памяти, основанной на 1T-SRAM.
1T-SRAM-R - вот название новой технологии, которая по словам представителей компании, должна заменить обычную встраиваемую статическую память. Интерфейс у 1T-SRAM-R стандартный, так что этой памятью можно заменить любую обычную SRAM.
В 1T-SRAM-R применена также и запатентованная технология TEC (Transparent Error Correction), которая позволяет микросхеме эффективно бороться как со случайными, так и с устойчивыми ошибками, допущенными при производстве. Коэффициент случайных ошибок (Soft Error Rate - SER) 1T-SRAM-R благодаря TEC примерно на 3 порядка меньше, чем у обычной SRAM - 10 FIT/Мбит. Чтобы достичь таких показателей в стандартной SRAM, обычно встраивается ECC схема, которая увеличивает стоимость чипа на 20-30%.
В общем, память всем хороша, а больше всего главной особенностью 1T-SRAM - тем что для создания одной ячейки такой памяти нужен всего один интегральный транзисторный ключ, а не 4 или 6, как в традиционной статической памяти. Источник: Silicon Strategies