Texas Instruments: 0,09 мкм - к середине 2003 года

Texas Instruments объявила о планах внедрения в массовое производство нового 0,09 мкм техпроцесса уже к середине 2003 года. Главной технологической подробностью, сообщенной представителями компании, явилось то, что при новом CMOS техпроцессе ширина затворов транзисторов составит около 37 нм (0,037 мкм).

Новый техпроцесс будет применяться в первую очередь для выпуска современных чипов, используемых в мобильных телефонах и различных беспроводных устройствах. Texas Instruments также намерена использовать этот техпроцесс при выпуске процессоров UltraSparc, изготавливаемых по заказу Sun Microsystems.

По словам представителя TI Питера Рикерта (Peter Rickert), компания намерена представить библиотеки для разработки экономичных ASIC чипов с применением 0,09 мкм техпроцесса (1,8-, 2,5- и 3,3 В I/O интерфейсы, аналого/цифро-аналоговые и RF макросы с использованием оптимизированных аналоговых транзисторов и емкостей на основе high-k диэлектриков) к концу марта, окончание работ над библиотеками намечено на третий квартал 2002 года.

Несколько слов о самом техпроцессе. Новая 0,09 мкм технология сочетает в себе медные соединения с новыми материалами low-k диэлектриков, что позволит, например, довести плотность размещения 6Т SRAM памяти до 700 Кбит на каждый квадратный миллиметр. Новый процесс разрабатывается для применения с линиями по выпуску 300 мм и 200 мм кремниевых пластин. Девятиуровневые медные соединения будут использоваться с органо-силикатным диэлектриком (Organo-Silicate Glass, OSG) с низким показателем k, равным 2.8. Помимо этого, в новом техпроцессе для формирования переходов транзисторов будут применяться разработанные TI материалы с использованием плазменно нитрированных окислов (plasma nitrided oxide, PNO). Две новые 300 мм фабрики TI в Далласе будут оснащены новой технологией уже к середине 2003 года, но массовый выпуск продукции намечен на конец 2003 года. До тех пор заказчики будут заниматься тестированием и моделированием.

Кстати, как только TI подтвердила, что затраты на капстроительство в 2002 году будут снижены до $800 млн. (показатель 2001 года $1,8 млрд.), появились сведения о планах компании по увеличению объемов заказов чипов "на стороне". Средства самой TI пойдут главным образом, на запуск нового 0,09 мкм техпроцесса, а также переоборудование уже действующих линий по выпуску аналоговых чипов с 150 мм на 200 мм пластины, а линий по выпуску стандартной логики - со 125 мм на 150 мм пластины.

Источник: Silicon Strategies

6 февраля 2002 в 14:02

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс