После нескольких месяцев шлифовки своей технологии многоуровневых запоминающих ячеек Hitachi сообщает о своих планах выпустить на рынок 1-Гбит чипы флэш-памяти, поддерживающие скорость передачи данных до 10 Мбит/с.
О своей архитектуре assist-gate-AND Hitachi рассказала на конференции International Electron Devices, прошедшей в Вашингтоне. Компания надеется, что ее чипы найдут применение в high-end цифровых камерах, сотовых телефонах и PDA.
Вместо использования туннельного эффекта Фаулера-Нордхейма (известного так же как автоэлектронная эмиссия), в чипе Hitachi используется инъекция «горячих» электронов, аналогичная тому, что применяется в NOR флэш-памяти. Но чтобы ускорить процессы записи, был применен несколько другой подход: электроны вводятся со стороны истока, а не со стороны стока. Утверждается, что время записи в такой AG-AND ячейке составляет 10 мкс вместо 100 мкс в ячейках с применением эффекта Фаулера-Нордхейма. Впрочем, в ячейках AG-AND для обнуления бита используется по-прежнему эффект Фаулера-Нордхейма.
Дополнительно, конфигурация чипа содержит четыре банка ячеек, и Hitachi считает, что возможно достичь скорости записи в 20 Мбит/с, но, увы, не для многоуровневых ячеек.
1-Гбит чип HN29V1G91 будет выпускаться в 48-выводном TSOP type-I форм-факторе, как и предыдущий 512-Мбит чип компании. Чип совместим с NAND-интерфейсом.