Главная » Новости » 2002 » 07 » 11 11 июля 2002

1-Гбит чипы флэш-памяти Hitachi с многоуровневыми ячейками

После нескольких месяцев шлифовки своей технологии многоуровневых запоминающих ячеек Hitachi сообщает о своих планах выпустить на рынок 1-Гбит чипы флэш-памяти, поддерживающие скорость передачи данных до 10 Мбит/с.

О своей архитектуре assist-gate-AND Hitachi рассказала на конференции International Electron Devices, прошедшей в Вашингтоне. Компания надеется, что ее чипы найдут применение в high-end цифровых камерах, сотовых телефонах и PDA.

Вместо использования туннельного эффекта Фаулера-Нордхейма (известного так же как автоэлектронная эмиссия), в чипе Hitachi используется инъекция «горячих» электронов, аналогичная тому, что применяется в NOR флэш-памяти. Но чтобы ускорить процессы записи, был применен несколько другой подход: электроны вводятся со стороны истока, а не со стороны стока. Утверждается, что время записи в такой AG-AND ячейке составляет 10 мкс вместо 100 мкс в ячейках с применением эффекта Фаулера-Нордхейма. Впрочем, в ячейках AG-AND для обнуления бита используется по-прежнему эффект Фаулера-Нордхейма.

Дополнительно, конфигурация чипа содержит четыре банка ячеек, и Hitachi считает, что возможно достичь скорости записи в 20 Мбит/с, но, увы, не для многоуровневых ячеек.

1-Гбит чип HN29V1G91 будет выпускаться в 48-выводном TSOP type-I форм-факторе, как и предыдущий 512-Мбит чип компании. Чип совместим с NAND-интерфейсом.

Источник: Parasound

18:55 11.07.2002
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2002

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.