Главная » Новости » 2002 » 12 » 16 16 декабря 2002

В Принстоне изготовили 60-нм чип

На прошлой неделе исследователи из Принстонского Университета (Princeton University) сообщили об успешном изготовлении микросхем, в которых элементы имеют размер меньше 100 нм. MOSFET-чипы были изготовлены на 100-мм пластине используя технологию наноскопической печати и литографии (nano-imprint lithography). В этой технологии, кстати, используется излучение лазера в ультрафиолетовом диапазоне и погружение в химически активный раствор.

В процессе изготовления применялось четыре маски и трижды осуществлялось выравнивание слоев, точность которого составляет не хуже 500 нм. Размер элемента в чипе Принстонского Университета составлят около 60 нм, толщина слоя оксида-диэлектрика составляет порядка 10 нм, а активные части допировались бором с целью снижения паразитных эффектов.

Источник: Parasound

15:50 16.12.2002
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2002

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.