На прошлой неделе исследователи из Принстонского Университета (Princeton University) сообщили об успешном изготовлении микросхем, в которых элементы имеют размер меньше 100 нм. MOSFET-чипы были изготовлены на 100-мм пластине используя технологию наноскопической печати и литографии (nano-imprint lithography). В этой технологии, кстати, используется излучение лазера в ультрафиолетовом диапазоне и погружение в химически активный раствор.
В процессе изготовления применялось четыре маски и трижды осуществлялось выравнивание слоев, точность которого составляет не хуже 500 нм. Размер элемента в чипе Принстонского Университета составлят около 60 нм, толщина слоя оксида-диэлектрика составляет порядка 10 нм, а активные части допировались бором с целью снижения паразитных эффектов.