Toshiba и Infineon утверждают, что создали ферроэлектрический чип памяти (FeRAM) с самой большой на сегодняшний день плотностью записи информации. На разработку ферроэлектрического чипа компании потратили полтора года.
Чип FeRAM имеет емкость 32 Мбит и построен по «цепочечной схеме», то есть ферроэлектрический элемент и полевой транзистор (field effective transistor, FET) включены последовательно, но не параллельно, как это было до сих пор. Произведен чип по 0,2-мкм нормам, имеет общую площадь равную 96 кв. мм, из которых примерно 34% занято под логику контроллера.
Пока не известно о том, какую пропускную способность обеспечивают новые чипы, но утверждает, что скорость работы FeRAM сравнима с DRAM или SRAM, при этом, благодаря ферроэлектрическим свойствам, подобная память является энергонезависимой.