Главная » Новости » 2003 » 02 » 14 14 февраля 2003

Toshiba и Infineon выпустили 32 Мбит чип FeRAM

Toshiba и Infineon утверждают, что создали ферроэлектрический чип памяти (FeRAM) с самой большой на сегодняшний день плотностью записи информации. На разработку ферроэлектрического чипа компании потратили полтора года.

Чип FeRAM имеет емкость 32 Мбит и построен по «цепочечной схеме», то есть ферроэлектрический элемент и полевой транзистор (field effective transistor, FET) включены последовательно, но не параллельно, как это было до сих пор. Произведен чип по 0,2-мкм нормам, имеет общую площадь равную 96 кв. мм, из которых примерно 34% занято под логику контроллера.

Пока не известно о том, какую пропускную способность обеспечивают новые чипы, но утверждает, что скорость работы FeRAM сравнима с DRAM или SRAM, при этом, благодаря ферроэлектрическим свойствам, подобная память является энергонезависимой.

Источник: Slami

10:22 14.02.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.