Исследование основных характеристик модулей памяти DDR

Часть 6: Модули G.Skill DDR-500


Мы продолжаем цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим уже вторые по счету модули памяти DDR большого объема — пару высокоскоростных модулей G.Skill DDR-500 общим объемом 2 ГБ.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: G.Skill
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.gskill.com/ddr.html

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR на сайте производителя отсутствует. В кратком описании модулей на сайте производителя указывается, что продукт представляет собой комплект из двух «подогнанных» друг к другу модулей несертифицированного «стандарта» DDR-500 (PC4000). Это первые модули из серии HZ, имеющие суммарный объем 2 ГБ (объем одного модуля, соответственно, составляет 1 ГБ). В указанном режиме, при сравнительно невысоком напряжении питания 2.6-2.8В, модули способны функционировать при таймингах 3-4-4-8.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2 — SERIAL PRESENCE DETECT STANDARD, General Standard

Описание специфического стандарта SPD для DDR:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2.4 — Appendix D, Rev. 1.0: SPD’s for DDR SDRAM

Параметр Байты Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 07h DDR SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Dh 13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Bh 11 (CA0-CA10)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 02h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6, 7 40h, 00h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 04h SSTL 2.5V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 50h 4.0 нс (250.0 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Eh BL = 2, 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 10h CL = 3.0
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-0.5) 23 00h Не определено
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1.0) 25 00h Не определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 3Ch 15.0 нс
3.75 (4), CL = 3.0
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 28h 10.0 нс
2.5, CL = 3.0
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 3Ch 15.0 нс
3.75 (4), CL = 3.0
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 20h 32.0 нс
8, CL = 3.0
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Минимальное время цикла строки (tRC) 41 00h Не определено
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42 00h Не определено
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 00h Не определено
Номер ревизии SPD 62 01h Ревизия «0.1»
Контрольная сумма байт 0-62 63 AEh 174 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC (показаны только первые значимые байты) 64-71 7Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh,
CDh
Corsair
Part Number модуля 73-90 HZ
Дата изготовления модуля 93-94 00h, 00h Не определено
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Содержимое микросхемы SPD выглядит не вполне стандартно (что не удивительно, учитывая «нестандартность» самих модулей). Поддерживается всего одно значение задержки CAS# (CL X) = 3, которому соответствует период синхросигнала 4.0 нс (функционирование модулей в нестандартном режиме DDR-500). Соответствующая этому и единственному случаю схема таймингов в точном виде выглядит несколько странно, ибо содержит нецелые величины tRCD и tRP — 3-3.75-3.75-8. Тем не менее, если учесть, что при настройке подсистемы памяти большинство BIOS-ов, как правило, округляют нецелые значения в большую сторону, мы получим заявленную производителем схему 3-4-4-8. Недостатком можно считать отсутствие в SPD данных по таймингам для стандартного случая DDR-400, необходимый для корректной настройки подсистемы памяти «по умолчанию». Этот вариант следовало бы прописать для случая уменьшенной задержки CAS# (CL X-0.5) — соответствующая схема могла бы выглядеть как 2.5-3-3-6.4 (с учетом округления — 2.5-3-3-7).

Среди прочих особенностей содержимого SPD можно отметить неопределенность абсолютных значений таймингов tRC и tRFC и максимальному временному циклу tCKmax, а также странный номер ревизии SPD «0.1» и отсутствие данных о дате изготовления и серийном номере модулей. Что же касается Part Number, нетрудно видеть, что соответствующее текстовое поле отражает наименование серии «HZ» в целом, но не содержит специфический номер данных модулей.

Конфигурация тестового стенда и ПО

  • Процессор: AMD Athlon 64 4000+, 2.4 ГГц (ClawHammer rev. SH-CG, 1 МБ L2)
  • Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16
  • Материнская плата: MSI K8N Diamond Plus, версия BIOS 080012 от 12/22/2005
  • Память: 2x1024 МБ G.Skill PC4000, DDR-500 (в режиме DDR-400)
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, NVIDIA PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: NVIDIA Forceware 77.72, NVIDIA nForce4 X16 6.82, DirectX 9.0c

Результаты тестирования

Тесты производительности

Тестирование модулей проводилось в стандартном скоростом режиме DDR-400. В первой серии тестов, как обычно, тайминги памяти выставлялись по умолчанию (в настройках BIOS — Memory Timings: «by SPD»). Одна из рекомендованных производителем модулей и используемая в наших тестах материнская плата MSI K8N Diamond Plus выставила в этом случае схему 3-3-3-7, которая находится «где-то посередине» между заявленной производителем для режима DDR-500 схемой 3-4-4-8 и схемой, которая, как мы писали выше, могла бы относиться к режиму DDR-400 — 2.5-3-3-7.

Параметр G.Skill PC4000 Corsair XMS-3500LLPRO
Тайминги 3-3-3-7 2-3-2-6
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 3916 4344
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2409 2555
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6286 6400
Макс. ПСП на запись, МБ/с 6016 6213
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 38.9 31.6
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 42.2 35.3
Минимальная латентность случайного доступа*, нс 72.7 62.8
Максимальная латентность случайного доступа*, нс 76.5 67.0

*размер блока 16 МБ

Скоростные характеристики модулей G.Skill выглядят умеренно (для сравнения, в таблице приведены результаты, полученные в нашем предыдущем исследовании высокоскоростных модулей DDR Corsair XMS-3500LLPRO) — величины ПСП уступают примерно на 100-200 МБ/с, задержки при доступе в память на 7-10 нс выше по сравнению с указанными модулями.

Тесты стабильности

Значения таймингов памяти, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом (в данном случае — интегрированным контроллером памяти процессора Athlon 64) настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр G.Skill PC4000 Corsair XMS-3500LLPRO
Тайминги 2.5-3-3-5(-7-10) 2-3-2-5(-7-10)
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 3917 4355
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2425 2572
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6298 6410
Макс. ПСП на запись, МБ/с 6106 6211
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 37.7 31.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 41.1 35.3
Минимальная латентность случайного доступа*, нс 69.9 62.5
Максимальная латентность случайного доступа*, нс 73.6 66.7

*размер блока 16 МБ

Минимальная схема таймингов, которую позволили выставить новые 1-ГБ модули памяти на плате MSI K8N Diamond Plus в режиме DDR-400 без потери устойчивости, выглядит весьма скромно — 2.5-3-3-5, т.е. нам удалось лишь снизить величину задержки CAS# до 2.5 (последнее значение, tRAS, не следует воспринимать буквально — большинство модулей, как мы знаем по нашим многочисленным предыдущим исследованиям, равнодушно относятся к его изменению в любую сторону).

Эффект такого «разгона по таймингам» весьма невелик — можно отметить лишь некоторое снижение латентностей псевдослучайного и случайного доступа, на величину порядка 1-3 нс.

Итоги

Исследованные модули памяти G.Skill DDR-500 суммарным объемом 2 ГБ обладают умеренными скоростными характеристиками и умеренным разгонным потенциалом по таймингам — минимальные значения таймингов, которые удалось достичь в режиме DDR-400, составляют всего 2.5-3-3-5. Учитывая, что модули памяти DDR большого объема является новым направлением — как для данного производителя, так и для индустрии в целом, можно ожидать, что в дальнейшем мы сможем увидеть модули такого типа, обладающие лучшими характеристиками.


Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти G.Skill DDR-500  Н/Д(0)




Дополнительно

Sorry, temp error.

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.