Исследование основных характеристик модулей памяти DDR. Часть 6: Модули G.Skill DDR-500

Мы продолжаем цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим уже вторые по счету модули памяти DDR большого объема — пару высокоскоростных модулей G.Skill DDR-500 общим объемом 2 ГБ.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: G.Skill
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.gskill.com/ddr.html

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR на сайте производителя отсутствует. В кратком описании модулей на сайте производителя указывается, что продукт представляет собой комплект из двух «подогнанных» друг к другу модулей несертифицированного «стандарта» DDR-500 (PC4000). Это первые модули из серии HZ, имеющие суммарный объем 2 ГБ (объем одного модуля, соответственно, составляет 1 ГБ). В указанном режиме, при сравнительно невысоком напряжении питания 2.6-2.8В, модули способны функционировать при таймингах 3-4-4-8.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2 - SERIAL PRESENCE DETECT STANDARD, General Standard

Описание специфического стандарта SPD для DDR:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2.4 — Appendix D, Rev. 1.0: SPD’s for DDR SDRAM

Содержимое микросхемы SPD выглядит не вполне стандартно (что не удивительно, учитывая «нестандартность» самих модулей). Поддерживается всего одно значение задержки CAS# (CL X) = 3, которому соответствует период синхросигнала 4.0 нс (функционирование модулей в нестандартном режиме DDR-500). Соответствующая этому и единственному случаю схема таймингов в точном виде выглядит несколько странно, ибо содержит нецелые величины t_RCD и t_RP — 3-3.75-3.75-8. Тем не менее, если учесть, что при настройке подсистемы памяти большинство BIOS-ов, как правило, округляют нецелые значения в большую сторону, мы получим заявленную производителем схему 3-4-4-8. Недостатком можно считать отсутствие в SPD данных по таймингам для стандартного случая DDR-400, необходимый для корректной настройки подсистемы памяти «по умолчанию». Этот вариант следовало бы прописать для случая уменьшенной задержки CAS# (CL X-0.5) — соответствующая схема могла бы выглядеть как 2.5-3-3-6.4 (с учетом округления — 2.5-3-3-7).

Среди прочих особенностей содержимого SPD можно отметить неопределенность абсолютных значений таймингов t_RC и t_RFC и максимальному временному циклу t_CKmax, а также странный номер ревизии SPD «0.1» и отсутствие данных о дате изготовления и серийном номере модулей. Что же касается Part Number, нетрудно видеть, что соответствующее текстовое поле отражает наименование серии «HZ» в целом, но не содержит специфический номер данных модулей.

Конфигурация тестового стенда и ПО

• Процессор: AMD Athlon 64 4000+, 2.4 ГГц (ClawHammer rev. SH-CG, 1 МБ L2)
• Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16
• Материнская плата: MSI K8N Diamond Plus, версия BIOS 080012 от 12/22/2005
• Память: 2x1024 МБ G.Skill PC4000, DDR-500 (в режиме DDR-400)
• Видео: Leadtek PX350 TDH, NVIDIA PCX5900
• HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
• Драйверы: NVIDIA Forceware 77.72, NVIDIA nForce4 X16 6.82, DirectX 9.0c

Результаты тестирования

Тесты производительности

Тестирование модулей проводилось в стандартном скоростом режиме DDR-400. В первой серии тестов, как обычно, тайминги памяти выставлялись по умолчанию (в настройках BIOS — Memory Timings: «by SPD»). Одна из рекомендованных производителем модулей и используемая в наших тестах материнская плата MSI K8N Diamond Plus выставила в этом случае схему 3-3-3-7, которая находится «где-то посередине» между заявленной производителем для режима DDR-500 схемой 3-4-4-8 и схемой, которая, как мы писали выше, могла бы относиться к режиму DDR-400 — 2.5-3-3-7.

^*размер блока 16 МБ

Скоростные характеристики модулей G.Skill выглядят умеренно (для сравнения, в таблице приведены результаты, полученные в нашем предыдущем исследовании высокоскоростных модулей DDR Corsair XMS-3500LLPRO) — величины ПСП уступают примерно на 100-200 МБ/с, задержки при доступе в память на 7-10 нс выше по сравнению с указанными модулями.

Тесты стабильности

Значения таймингов памяти, за исключением t_CL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом (в данном случае — интегрированным контроллером памяти процессора Athlon 64) настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

^*размер блока 16 МБ

Минимальная схема таймингов, которую позволили выставить новые 1-ГБ модули памяти на плате MSI K8N Diamond Plus в режиме DDR-400 без потери устойчивости, выглядит весьма скромно — 2.5-3-3-5, т.е. нам удалось лишь снизить величину задержки CAS# до 2.5 (последнее значение, t_RAS, не следует воспринимать буквально — большинство модулей, как мы знаем по нашим многочисленным предыдущим исследованиям, равнодушно относятся к его изменению в любую сторону).

Эффект такого «разгона по таймингам» весьма невелик — можно отметить лишь некоторое снижение латентностей псевдослучайного и случайного доступа, на величину порядка 1-3 нс.

Итоги

Исследованные модули памяти G.Skill DDR-500 суммарным объемом 2 ГБ обладают умеренными скоростными характеристиками и умеренным разгонным потенциалом по таймингам — минимальные значения таймингов, которые удалось достичь в режиме DDR-400, составляют всего 2.5-3-3-5. Учитывая, что модули памяти DDR большого объема является новым направлением — как для данного производителя, так и для индустрии в целом, можно ожидать, что в дальнейшем мы сможем увидеть модули такого типа, обладающие лучшими характеристиками.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице: