Китайская CXMT, за чипами которой «охотится» Apple, придумала, как выпустить память DRAM нового поколения без дорогого западного оборудования
Для памяти DRAM нового поколения не потребуются литографы EUV
Китайский производитель памяти CXMT (ChangXin Memory Technologies) начал разработку нового поколения DRAM с использованием технологии гибридного соединения пластин (Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding). Предполагается, что она позволит значительно увеличить плотность памяти и повысить ее производительность без применения передового EUV-оборудования.
Новая технология предусматривает отказ от традиционных микроконтактов. Вместо них две кремниевые пластины соединяются напрямую, что сокращает длину электрических соединений, снижает энергопотребление и задержки, а также позволяет разместить больше памяти на той же площади кристалла.
Сообщается, что CXMT уже испытывает технологию на пилотной линии в Хэфэе. Одновременно компания разделяет производство массива ячеек памяти и управляющей логики на разные пластины, что позволяет использовать различные техпроцессы для каждого из компонентов и повысить эффективность производства.
Ранее сообщалось, что Apple рассматривает CXMT в качестве потенциального поставщика DRAM. Однако главной причиной называют не снижение стоимости памяти, а желание диверсифицировать цепочку поставок на фоне растущего дефицита DRAM, вызванного высоким спросом со стороны дата-центров для искусственного интеллекта.

Комментарии