Компания Samsung, похоже, может заметно изменить рынок флеш-памяти и устройств на её основе. Корейский гигант разработал новую память NAND, которая выделяется сверхнизким энергопотреблением.
Если точнее, в первую очередь в пресс-релизе речь идёт даже не о самой памяти, а о механизме в процессе производства такой памяти, который позволяет снизить энергопотребление памяти на величину до 96%. То есть память сможет работать, потребляя всего 4% от той энергии, которую потребляет обычная память NAND. Конечно, это пиковое значение, и среднее будет другим.
Суть метода, разработанного Samsung, заключается в интеграции сегнетоэлектриков с оксидными полупроводниками.
Исследователи Samsung обнаружили это решение, используя уникальные электрические характеристики оксидных полупроводников. Традиционно некоторые характеристики этого материала, такие как ограниченная возможность настройки порогового напряжения, считались недостатком для высокопроизводительных устройств. Однако в структуре NAND на основе сегнетоэлектрика это свойство становится преимуществом, позволяя значительно снизить энергопотребление.
Samsung упоминает коммерциализацию памяти Ultra-Low-Power NAND, но пока без каких-либо сроков. Вероятно, пройдёт несколько лет, прежде чем мы увидим такую память на рынке.