Компания Toshiba сообщила о начале массового производства инжекционного транзистора с обогащённым затвором (IEGT) в обжимном корпусе диаметром 168 мм. Новинка, получившая название ST2000GXH32, характеризуется номинальным напряжением коллектор-эмиттер 4500 В и номинальным током коллектора 2000 А.
В структуру транзистора включён недавно разработанный высокоскоростной диод для преобразователей высокого напряжения. Как утверждается, структура катода этого диода такова, что подавляет колебания напряжения во время обратного восстановления, улучшая устойчивость к обратному восстановлению. Кроме того, она позволяет сохранять работоспособность при высокой температуре. В отличие от ранее выпущенного транзистора Toshiba ST2000GXH31, с новым можно использовать небольшой резистор в цепи управления затвором, что уменьшает потери переключения приблизительно на 30% (с 12,0 до 8,4 Дж). Кроме того, улучшенный катод увеличивает пиковую мощность во время обратного восстановления примерно на 29%, а допустимая температура перехода увеличена со 125 °C до 150 °C.
Области применения ST2000GXH32 — высоковольтное промышленное оборудование, включая инверторы и преобразователи для электродвигателей. Весит транзистор 2,7 кг.