Компания Micron Technology представила модуль энергонезависимой памяти DDR4-2933 NVDIMM MTA36ASS4G72XF1Z объемом 32 ГБ. По объему он вдвое превосходит самые емкие из сегодняшних модулей NVDIMM.
Говоря точнее, новый модуль относится к модулям NVDIMM-N, на которых установлены микросхемы как DRAM, так и NAND. Такие модули обеспечивают уникальное сочетание малых задержек, большой пропускной способности, большого объема и доступной стоимости. Они работают как высокоскоростная память DRAM, но не теряют данные в случае отключения питания.
По оценке производителя, устраняя разрыв между оперативным и постоянным хранением данных, модули NVDIMM-N позволяют повысить производительность на задачах с интенсивным чтением на 11%, на задачах с интенсивной записью — на 63% в случае блочных операций с данными.